■封面故事-奈米片製程
-跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發
-AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸
-揮別製程物理極限 半導體異質整合的創新與機
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■封面故事-奈米片製程
-跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發
-AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸
-揮別製程物理極限 半導體異質整合的創新與機
奈米片在推動摩爾定律發展中扮演關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、短通道效應等挑戰，
然而，透過技術創新，這些挑戰正在逐步被克服。
生成式AI和大語言模型對HBM的需求也在增加。
記憶體製造商正積極擴展採用3D 堆疊技術的HBM產能，
以滿足市場需求。
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