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產業鏈上下游全員動起來 寬能隙功率元件市場起飛
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新電子科技雜誌 07月號/2020 第412期
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功率密度優勢顯著 GaN HEMT挺進大功率市場 相較於矽材料，以GaN材料實作功率元件，可以明顯拉高切換速度，從而讓電源設計者在電源設備中採用更小的電容、磁性元件，獲得提高功率密度，降低損耗的效益。然而，天底下很少有毫無缺點的選擇，作為功率應用領域的新興材料，GaN的可靠度與安全性，終究還是未經...
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產業鏈上下游全員動起來 寬能隙功率元件市場起飛
化合物半導體種類繁多，但近年來話題最熱的，仍屬與功率相關的氮化鎵(GaN)與碳化矽兩種寬能隙半導體材料。這兩種材料本身也有很多變形，例如GaN on Si、GaN on Sapphire、GaN on SiC、SiC on Diamond等，但其中仍以用來製造電源元件的GaN on Si與SiC最受關注，其他材料組合則是以高功率射頻(RF)應用為主。
由於電源是所有電子設備都不可或缺的要素，且在電氣化的發展趨勢下，許多原本不是由電力驅動的應用，例如各式各樣的交通載具，也都改用電力來驅動。因此，電源技術的進展，不僅有助於提高現有的電子應用產品的能源效率，更可為電子技術開創出新的應用。這也是碳化矽、氮化鎵功率元件，會比射頻應用受到更多關注的原因。
※新電子科技雜誌簡介
新電子科技雜誌於1986年創刊，以台灣資訊電子上下游產業的訊息橋樑自居，提供國際與國內電子產業重點資訊，以利產業界人士掌握自有競爭力。雜誌內容徹底執行各專欄內容品質，透過讀者回函瞭解讀者意見，調整方向以專業豐富的內容建立特色；定期舉辦研討會、座談會、透過產業廠商的參與度，樹立專業形象；透過網際網路豐富資訊的提供，資訊擴及華人世界。更多資訊請參考：http://www.mem.com.tw
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